碳化硅砖按结合方式不同可分为粘土结合碳化硅砖、%26beta;-碳化硅结合碳化硅砖、氧氮化硅结合碳化硅砖、氮化硅结合碳化硅砖和赛隆(Sialon)结合碳化硅砖。
制造工艺粗、中、细SiC的配方应为5:1:4。制造SiC砖原料一般选用黑色SiC,其化学成分如下:SiC98.0%,游离CO.5%,Fe0.2%,游离SiO20.6%。由于结合方式不同,工艺过程有差异。不同结合方式的简要工艺是(1)氮化硅结合碳化硅砖:用粗、中、细碳化硅颗粒和细硅粉成型的坯体,在纯N2气中,在1370℃产生一种以%26alpha;-SiC为骨架和以%26alpha;和%26beta;-Si3N4。为基质的氮化硅结合碳化硅砖。在基质中尚有少量残留硅和SiO2N2在制品中,这些组分的相对含量随制造工厂不同而异。(2)%26beta;-SiC结合碳化硅砖:将SiC、硅粉、炭粉按一定配比,混合、成型,在1400℃还原气氛中烧成。在大多数情况下采用埋炭烧成。在烧成过程中,产生一种以%26alpha;-SiC为骨架,以细晶粒%26beta;-SiC为基质的%26beta;-Si3N4结合SiC砖。%26beta;-SiC是在烧成过程中,细硅粉与细碳粉反应生成的,这种产品也含有少量残留硅和碳。(3)氧氮化硅结合碳化硅砖:这种砖配料时,细硅粉配比要少于si。N。结合碳化硅砖的配比。经成型后,在富N2气氛下(要求有一定的O2分压)烧成,烧成温度为1350~1400℃。成品是一种以%26alpha;-SiC为骨架,以为基质的Si2ON2结合SiC砖,在基质中存在少量的Si和Si3N4。(4)赛隆结合碳化硅砖:按一定粒度配比的SiC中配入Si3N4和Al2O3细粉。经混合、加入结合剂,混练、成型后,在还原气氛下烧成。制得的赛隆结合SiC砖是一种以%26alpha;-SiC为骨架,以赛隆为基质的耐火制品。这种砖由于赛隆基质的存在,粒子间强度提高,耐热震性增强。其制造工艺流程见图。些碳化硅砖制造工艺流程图用途氮化硅结合碳化硅砖用于高炉下部炉身,代替粘土砖、高铝砖或刚玉砖作内衬,可将炉衬寿命由4~6a提高到10a以上。用作铝电解槽内衬,比用碳块364内衬节能、耐用、不污染环境。此外,还用于熔融铝导管等。
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